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电子元器件详细资料 » IC[25875] » NTD18N06G
型号:NTD18N06G类别:FET - 单制造商:ON Semiconductor
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63描述:MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
系列-
制造商ON Semiconductor
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)60V
电流_连续漏极(Id)0a025000C18A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C60 毫欧 @ 9A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs30nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds710pF @ 25V
功率_最大55W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装DPAK-3
包装管件

供应商

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深圳市百域芯科技有限公司雷小姐075582788062
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深圳市旺财半导体有限公司李先生86-83209217
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